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【新風尚潮流】金士頓桌上型記憶體 4G 4GB DDR3-1600 低電壓 1.35V KVR16LN11/4

功能:

【新風尚潮流】金士頓桌上型記憶體 4G 4GB DDR3-1600 低電壓 1.35V KVR16LN11/4

描述:

商品說明

KingSton 金士頓 4GB DDR3-1600 低電壓桌上型記憶體

型號:KVR16LN11/4

KingstonDDR3擁有更快的速度、更高的資料頻寬、更低的能量消耗和更優的終端性能。

Kingston DDR3 為第三代 DDR 記憶體技術。 Kingston DDR3 擁有更快的速度、更高的資料頻寬、更低的能量消耗和更優的終端性能。

過去幾年，金士頓一直與 JEDEC （記憶體工業標準組織）以及 DRAM 、系統及主機板製造商緊密合作，共同開發 DDR3 記憶體技術。

DDR3 記憶體晶片採用 FBGA 封裝方式，以改進其耗電和散熱性能。DDRIII 1600 FBGA封裝技術, 依照JEDEC標準時脈1600MHz 11-11-11於1.5V電壓, 240pin腳數

DDR3 記憶體無論是在 Pin 腳數、工作電壓以及 DRAM 晶片技術等方面都與 DDR 不同。

保固

所有 Kingston ValueRAM 記憶體均具有終身保固。

測試

Kingston 對所有記憶體產品均進行百分之百測試。此外，ValueRAM 伺服器記憶體經過動態燒機測試 (Dynamic Burn-in Testing)，大幅降低初期故障(ELF) 的問題。

JEDEC 符合性

JEDEC 制訂了半導體工程的標準，同時也是電子工業聯盟 (Electronic Industries Alliance，EIA) 的半導體標準化組織。大約有 300 間分別代表此產業各個部份的公司積極參與開發符合產業需求的標準。 Kingston Technology 長期身為 JEDEC 蕫事會一員，也致力於協助制定記憶體技術的產業標準。所有 Kingston 記憶體均完全符合 JEDEC 規範，JEDEC 是主要半導體製造商所採用的重要規範。

商品規格

記憶體類型： DDR3 Memory
針腳及模組： 240Pin Long-DIMM
頻率： DDR3-1600MHz
功能： Unbuffer Non-ECC Memory
容量： 4GB
顆粒： 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓： 1.35V or 1.5 V(雙電壓自動切換)
ＣＬ值： 11

資料來源：金士頓

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同，以實際商品顏色為準

※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。

【新風尚潮流】金士頓桌上型記憶體 4G 4GB DDR3-1600 低電壓 1.35V KVR16LN11/4

標題:

科見美語士林分校要怎麼去

發問:

科見美語士林分校要怎麼去從捷運站下車後要怎麼走？還是要搭哪一班公車？

最佳解答:

建議您搭乘捷運到『士林站』下車，從1號出口出站右轉沿著中正路走到中山北路五段左轉過去即可到達614號的科見美語士林分校。步行時間大約5分鐘。步行路線圖

其他解答:

上課地點：台北市士林區中山北路五段614號地點指引：近中山北路與中正路口, 與麥當勞同一排聯絡電話：(02) 28332979 方式：步行直達（一）搭乘捷運士林站下車後，步行約 376 公尺後到達目的地。

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